川仪微电路与键合科技商谈IGBT功率器件的战略合作

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川仪微电路与键合科技商谈IGBT功率器件的战略合作

来源: | 作者:上游新闻 | 发布时间: 2022-09-13 | 843 次浏览 | 分享到:

9月13日，中国四联集团重庆川仪微电路电器有限责任公司总经理赵光剑一行来到重庆键合科技有限责任公司，商谈在IGBT、半导体、芯片等封装领域业务合作的可行性。重庆川仪微电路有限责任公司（简称川仪微或川仪六厂）隶属于中国四联集团（国有企业），注册资金6000万元，是一家致力于电子组装服务与微电子模块设计与制造的领先科技企业。

川仪微从建厂初期半导体器件生产、经中期的厚薄膜集成电路生产，到现在形成了电子制造服务与组包（EMS）、磁性器件、混合集成电路三大业务板块。经过多年的技术投入和市场拓展，具备了为客户提供从器件到模块直到系统板级开发和制造能力，特别是在电力电子与新能源电子设计与制造、笔记本电脑电子制造业务、汽车电子业务、通讯类磁性器件设计与制造及工业特种厚膜集成电路设计与制造建立起市场和制造优势，产品涵盖UPS、风能、控制系统、兆瓦级能源控制系统、5G电力电源、充电桩、移动充电桩、储能系统、超高压柔性直流输电控制系统、笔记本电脑触控板、网络数据交换机、工业控制系统、通讯电源、特种加热器及检测系统、汽车电子、工业传感器等等。键合科技陈卫华总经理向赵光剑总经理一行介绍了公司技术的渊源、技术成果、技术特点以及目前实现的技术应用领域。特别就键合技术在IGBT、半导体等功率器件封装领域所开展的各项工作，键合技术在IGBT分立器件可以实现的相关优势与价值，以及在IGBT分立器件产品开发的进展等情况进行了详细的阐述。

赵光剑总经理介绍了川仪微电路公司的优势业务与相关能力，对键合科技研发团队20年来潜心致力于CGDS原创技术研发与技术应用表达了赞赏，对键合科技不断取得的技术成果与应用表示了肯定，认为双方可以发挥各自的条件与优势在半导体封装以及更多的领域开展合作。

键合技术在IGBT、芯片等半导体封装领域的价值与优势：

解决IGBT等半导体功率器件系统散热最大的瓶颈---界面热阻问题，实现功率器件高效散热(比原有导热硅脂方案，导热能力最高提升40倍)，使功率器件工作环境温度更适宜（与原有方案相比，功率器件工作温度可以降低12-18°C）,进而提升功率器件的功效与运行稳定性、可靠性，大幅延长功率器件的寿命（接近一倍），并达到降体积、降重量、降成本的效果，同时器件封装无需反复紧固，避免因紧固工作不到位带来的重大安全风险。键合技术的热管理方案/产品对新能源汽车电驱动IGBT模块热管理，风电、光伏逆变器IGBT模块散热以及其他领域的IGBT模块散热有了更优更系统的解决方案。同时对半导体功率器件的封装具有里程碑意义，可以减少或摆脱对境外技术的限制与依赖，全面提升半导体功率器件与功率组件的产业品质。